用SiCl4/H2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究

摘要：

对以SiH4/H2及SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜进行了光照稳定性的研究.实验表明,制备的多晶硅薄膜并没有出现非晶硅中的光致衰减现象,其光电导、暗电导在光照过程中没有下降反而有所上升且电导率变化快慢受氢稀释度的制约.多晶硅薄膜的光照稳定性可能来源于高的晶化度及Cl元素的存在.

关键词：多晶硅薄膜、稳恒光电导效应、晶界、光致衰退效应

所属期刊栏目：54

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000028208

在线出版日期：2005-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：3805-3809