低覆盖度的Au/GaN(0001)界面的同步辐射研究

摘要：

利用同步辐射光电子能谱研究了低覆盖度Au在GaN(0001)表面的初始生长模式,肖特基势垒高度以及界面的电子结构.结果表明,Au沉积初始阶段有界面的化学反应,随后呈三维岛状生长.由光电子能谱实验确定的肖特基势垒高度为1.4 eV.通过对界面价带谱和Au 4f芯能级谱的分析,确定了界面化学反应的存在.利用线性缀加平面波方法计算了GaN(0001)和Au的价带态密度并分析了化学反应产生的机理,认为在初始阶段界面形成了Au-Ga合金.

关键词：同步辐射、光电子能谱、Au/GaN欧姆接触、态密度

所属期刊栏目：54

分类号：O4(物理学)

资助基金：中国科学院知识创新工程项目

在线出版日期：2005-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：3793-3798