压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱

摘要：

报道了压电调制反射测量系统的建立,应用该系统获得了势阱宽度分别为5nm和25nm的两个GaAs/Al0.29Ga0.71As单量子阱的压电调制反射谱.从图谱中可以看出,在室温下能够较容易地分辨出和轻、重空穴相关联的子带跃迁.在阱宽25nm的样品中还观察到了自旋-轨道跃迁.利用有效质量理论近似计算,对量子阱样品的图谱结构进行了指认,发现实验值和计算值能够较好地符合.

关键词：压电调制反射光谱、单量子阱、分子束外延

所属期刊栏目：54

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10074068,60244002

在线出版日期：2005-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：3337-3341