PED沉积La-Sr-Cu-O薄膜表面的有序纳米结构

摘要：

采用脉冲电子束沉积(PED)技术在Si(100)衬底上生长La-Sr-Cu-O薄膜,在750℃生长温度下获得具有有序纳米结构的表面形貌.采用聚集离子束(FIB)技术对获得的纳米结构进行表征,结果表明,这种有序的纳米结构是由于Si衬底和La-Sr-Cu-O薄膜之间的热膨胀系数和晶格的失配引起的纳米裂纹.在这些纳米裂纹处,La-Sr-Cu-O成核生长获得独立的纳米线.通过控制这种有序的纳米结构的生长,这种有序的纳米结构可以用来构造弱连接形成的器件.

关键词：脉冲电子束沉积、La-Sr-Cu-O薄膜、纳米结构

所属期刊栏目：54

分类号：O4(物理学)

资助基金：中国科学院"百人计划";国家自然科学基金60321001

在线出版日期：2005-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2843-2846