不同参数溅射的ZnO薄膜硫化后的特性

摘要：

采用直流反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜,然后将它们在H2S气流中硫化得到ZnS薄膜.用x射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和UV-VIS透过光谱对ZnS薄膜样品进行了分析.结果表明,该ZnS薄膜为六角晶体结构,沿(002,晶面择优取向生长,其结晶状态和透过光谱与工作气压、Ar/O2流量比密切相关.当气压高于1 Pa时,得到厚度很小的ZnS薄膜;而气压低于1 Pa时,沉积的ZnO薄膜则不能全部反应生成ZnS.另外,当Ar/O2流量比低于4:1或高于4:1时,结晶状态都会变差.此外,由于ZnS薄膜具有高的沿(002,晶面择优取向的生长特性,使得退火或未退火ZnO薄膜硫化后的晶粒尺寸变化很小.

关键词：ZnS薄膜、磁控溅射、ZnO硫化、太阳电池

所属期刊栏目：54

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10275077

在线出版日期：2005-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2389-2393