10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.077
GaNxAs1-x(x<0.01)中合金态的光学特性
应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的(001,GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中三元合金态的光学特性.变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别,而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性.最后还研究了GaNAs的吸收光谱特征.
GaNAs、合金态、光学特性
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O4(物理学)
国家重点基础研究发展计划973计划G001CB3095;国家自然科学基金10274081;中国科学院科技项目;江苏省自然科学基金BK2004403
2005-11-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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2385-2388