Sr2 CeO4电荷迁移发光的光谱结构规律研究

摘要：

利用高温固相反应法分别合成了不同物相形成机理的Sr2CeO4,Sr2CeO4:Ca2+和Sr2CeO4:Ba2+样品,并对其光谱特性进行了研究.结果发现,对于由SrO和CeO2直接反应生成的Sr2CeO4(Ⅰ),激发主峰位于256nm左右;而对于SrCeO3和SrO反应生成的Sr2CeO4(Ⅱ),激发主峰位于279nm左右.在Sr2CeO4(Ⅰ)中掺入Ca2+,其激发光谱随着Ca2+离子浓度的增加逐渐接近于Sr2CeO4(Ⅱ)的激发光谱.激发主峰带应属于CeO6八面体终端Ce4+-O2-键的电荷迁移带.对于激发光谱中340nm左右的弱激发峰,其峰值波长不受形成机理及Ca2+掺杂的影响,只是其强度随着激发主峰的红移而增加,它可能属于CeO6八面体平面上Ce4+-O2-键的电荷迁移带.形成机理及Ca2+掺杂对发射光谱没有影响.Ca2+在Sr2CeO4(Ⅱ)与Ba2+在Sr2CeO4(Ⅰ)和(Ⅱ)中均难于替代Sr2+的位置.

关键词：Sr2CeO4、光谱规律、形成机理、掺杂

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金50001010

在线出版日期：2005-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2369-2373