正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中绝缘层对微分电导的影响

摘要：

在正常金属/绝缘层/s波超导隧道结(NIS结)中,以方势垒描述绝缘层对准粒子输运的影响,运用Bogoliubov-deGennes(BdG)方程、Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了NIS隧道结中的准粒子输运系数和微分电导.研究表明,微分电导随绝缘层厚度的变化呈振荡和衰减两种趋势,其振荡的周期和衰减的快慢均强烈地依赖于绝缘层的势垒值以及V=△0/e的偏压值,电导峰的高低及峰的位置与绝缘层厚度密切相关,显示了比δ势描述更为丰富多彩的隧道谱.

关键词：NIS结、方势垒、微分电导

所属期刊栏目：54

分类号：O4(物理学)

资助基金：江苏省教育厅自然科学基金04KJD140036;国家自然科学基金10347129

在线出版日期：2005-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：2318-2324