半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究

摘要：

通过AB腐蚀(由Abrahams和Buiocchi发明的腐蚀方法,简称AB腐蚀)、KOH腐蚀,经金相显微镜观察、透射电子显微镜能谱分析、电子探针x射线微区分析,对液封直拉法生长的非掺半绝缘砷化镓单晶中碳的微区分布进行了分析研究.实验结果表明,碳的微区分布受单晶中高密度位错网络结构的影响.高密度位错区,位错形成较小的胞状结构,且胞内不存在孤立位错,碳在单个胞内呈U型分布;较低密度位错区,胞状结构直径较大,且胞内存在孤立位错,碳在单个胞内呈W型分布.

关键词：半绝缘砷化镓、胞状位错、碳受主

所属期刊栏目：54

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金59972007;国防预研基金00J502.2.1QT4501;河北省自然科学基金599033

在线出版日期：2005-06-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1904-1908