SiCOH低介电常数薄膜的性质和键结构分析

摘要：

以十甲基环五硅氧烷为反应源、采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了具有低介电常数,且电绝缘性能和热稳定性优良的SiCOH薄膜. 通过对富氏变换红外光谱(FTIR)的分析,比较了反应源和薄膜键结构的差异,证实薄膜中一方面保持了源中由Si-O-Si键构成的环结构,另一方面形成了由大键角Si-O-Si键构成的鼠笼式结构,在沉积过程中失去的主要是侧链的-CH3基团. 薄膜经过400℃热处理后,其介电常数由3.85降低到2.85,对其FTIR谱的分析指出,薄膜中鼠笼式结构比例的增加可能是薄膜介电常数降低的原因.

关键词：低介电常数、SiCOH薄膜、化学键结构

所属期刊栏目：54

分类号：O4(物理学)

资助基金：苏州大学校科研和教改项目

在线出版日期：2005-03-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：892-896