10.3321/j.issn:1000-3290.2005.01.081
CdSe/ZnSe超薄层中两类量子岛(点)之间的激子转移和它们的光学性质研究
在变温条件下,对CdSe/ZnSe超薄层中的两类量子岛(点)进行了荧光光谱研究.在低温时,这两类岛之间的激子转移主要是通过隧穿过程,而随着温度的升高,局域激子的热跳跃逐渐取代隧穿过程成为激子转移的主导机理.研究还发现,小岛是具有准零维光学性质且不同于大岛的纳米团簇,它们激子的光学特性之间存在一定的差异,但实验表明两类量子岛之间又有很大的光学关联.
量子点、激子、CdSe
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O4(物理学)
国家自然科学基金10244006
2005-03-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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