Ti1-xCoxO2铁磁性半导体薄膜研究

摘要：

利用射频磁控反应溅射制备了Ti1-xCoxO2薄膜样品.超导量子干涉仪(SQUID)测量了样品在常温,低温下的磁特性.结果显示样品在常温下已经具有明显的铁磁性.常温时其矫顽力32 × 103A/m,饱和磁化强度55emu/cm3.磁性元素的磁矩达0.679μB/co.饱和场12×104A/m.x射线衍射(XRD)和x射线光电子能谱(XPS)实验分析初步表明样品中没有钴颗粒.

关键词：铁磁半导体、TiO2、薄膜

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金50171036,10234010;国家重点基础研究发展计划973计划973011CB610603

在线出版日期：2005-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：369-372