电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化

摘要：

利用电感耦合等离子体CVD方法在350℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜.利用x射线衍射、紫外-可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等.结果表明,用这种方法制备的Si薄膜不但晶化程度高,而且具有良好的(111)结晶取向性,晶粒尺寸大于300 nm,样品中无Al的残留.结合电感耦合等离子体的高电子密度特征讨论了低温生长过程中Al诱导Si薄膜晶化的机理.

关键词：电感耦合等离子体CVD、Al诱导晶化、Si薄膜、低温生长

所属期刊栏目：54

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10175030;教育部重点实验室基金

在线出版日期：2005-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：269-273