多壁碳纳米管阵列场发射研究

摘要：

@@ 研究了Ar离子束轰击及温度对多壁碳纳米管阵列场发射性能的影响.经Ar离子轰击35 min后,发现阵列顶端的Fe催化剂颗粒明显减少,弯曲的顶部被轰击掉,使碳纳米管的场发射电流明显减小而场发射像无明显改变.温度的增加引起碳纳米管的场发射电流也随之增加.还研究了在透明阳极技术中涂在阳极的荧光粉对场发射电流的影响.对同一碳纳米管阵列样品,发现涂有荧光粉的透明阳极使测量到的场发射电流大幅度减小,只是未涂荧光粉阳极电流的1/30左右.直接用二氧化锡导电膜作阳极时,测得样品的开启场强为1.0 V/μm.沉积了荧光粉的二氧化锡导电膜作阳极时,开启场强变为2.0 V/μm.

关键词：多壁碳纳米管、场发射

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60231010,60171025

在线出版日期：2005-03-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：4392-4397