含有δ掺杂层的SiGe pMOS量子阱沟道空穴面密度研究

摘要：

@@ 建立了含有δ掺杂层的SiGe pMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的静态与准静态物理模型,并对该模型进行了数值分析.讨论了静态时器件量子阱空穴面密度与δ掺杂层杂质浓度和本征层厚度的关系,阈值电压VT与δ掺杂层杂质浓度NA、量子阱沟道载流子面密度Ps及本征层厚度di等参数间的关系.同时还讨论了准静态时量子阱空穴面密度P′s与栅压VGS的关系.

关键词：δ掺杂层、空穴面密度

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：西安电子科技大学校科研和教改项目03011

在线出版日期：2005-03-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：4314-4318