绝缘衬底上高密度均匀纳米硅量子点的形成与表面形貌

摘要：

@@ 利用等离子体增强化学气相淀积技术,在绝缘氮化硅(SiNx)衬底上制备超薄非晶硅(a-Si:H)薄膜,通过超短脉冲激光辐照与准静态常规热退火技术处理,制备出高密度、均匀纳米硅(nc-Si)量子点.使用原子力显微镜对处理前后样品的表面形貌进行了研究,发现激光辐照能量密度增加的同时,所形成的nc-Si尺寸也随之增加.在合适的能量密度范围内,可以得到面密度大于1011/cm2、尺寸分布标准偏差小于20%的10 nm nc-Si量子点薄膜,表明所制备的nc-Si量子点具有较好的均匀性及较高的面密度.同时,对nc-Si量子点的形成过程进行了初步探讨.

关键词：纳米硅、激光诱导、尺寸分布

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10374049,90301009,90101020;国家重点基础研究发展计划973计划2001CB610503;江苏省自然科学基金BK2002407;南京大学校科研和教改项目

在线出版日期：2005-03-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：4293-4298