AlN-Si(111)异质结构界面陷阱态研究

摘要：

利用Al-AlN-Si(111)MIS结构电容-频率谱研究了金属有机化学气相沉积法生长的Si基AlN的AlN-Si异质结构中的电荷陷阱态.揭示了AlN-Si异质结构界面电荷陷阱态以及AIN层中的分立陷阱中心.结果指出:AIN层中存在Et-Ev=2.55eV的分立陷阱中心;AlN-Si界面陷阱态在Si能隙范围内呈连续分布,带中央态密度最低,Nss为8×1011eV-1cm-2,对应的时间常数τ为8×10-4s,俘获截面σn为1.58×10-14cm2;在AlN界面层存在三种陷阱态,导致Al-AlN-Si异质结构积累区电容的频散.

关键词：界面陷阱态、AlN-Si、电容-频率谱

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G20000683;国家自然科学基金60136020,60290080;国家高技术研究发展计划863计划2002AA305304

在线出版日期：2005-01-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：3888-3894