10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.045
表面氧化层效应对测量临界点跃迁的影响:分数维空间方法
运用椭偏技术和分数维空间方法,对Si-SiO2模型考察了表面氧化层的存在对从实验测得的光谱中确定Si临界点跃迁参数的影响.计算结果表明,表面氧化层效应使Si的介电谱发生畸变,由此得到的临界点跃迁参数较真值会有一个偏移:振幅与维度值较小,寿命线宽较大,并且这种影响随氧化层厚度的增加而加强.但禁带能受表面氧化层效应的影响却很小,可忽略不计.
分数维空间方法、椭偏技术、表面氧化层效应、临界点跃迁
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O4(物理学)
国家自然科学基金50372085
2005-01-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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