纳米Si-SiOx和Si-SiNx复合薄膜的低温制备及其发光特性
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10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.036

纳米Si-SiOx和Si-SiNx复合薄膜的低温制备及其发光特性

引用
用等离子体增强化学气相沉积法在低温(低于50℃)衬底上沉积Si-SiOx和Si-SiNx复合薄膜,可得到平均颗粒尺寸小至3nm的高密度(最高可达4.0×1012cm-2)纳米硅复合薄膜.500℃快速退火后,这种复合薄膜显现出优异的可见光全波段光致发光特性.通过比较相同条件下所制备的纳米Si-SiOx和Si-SiNx复合薄膜的光致发光效率,发现纳米Si-SiNx具有更为优异的光致发光效率,这一点在可见光短波区表现得尤为显著.

等离子体增强化学气相沉积、冷衬底、硅纳米颗粒、光致发光

53

O4(物理学)

国家重点基础研究发展计划973计划2002CB613505,2003AA302170;国家自然科学基金10134030

2005-01-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

3818-3822

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1000-3290

11-1958/O4

53

2004,53(11)

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