碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试

摘要：

利用3UCVD技术在p型4H-SiC上制备了栅氧化层,其正的氧化物电荷密度仅有1.6×1011cm-2,这一结果优于传统的热氧化工艺.为检验氧化层质量所做的高频C-V测试采用了正面接地的新的测试结构,克服了常规测试结构的缺点.

关键词：淀积、高频C-V测试、二氧化硅、碳化硅

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2004-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：3225-3228