10.3321/j.issn:1000-3290.2004.09.068
量子阱中电子自旋注入及弛豫的飞秒光谱研究
采用飞秒脉冲的饱和吸收光谱方法研究了GaAs/AlGaAs多量子阱中电子自旋的注入和弛豫特性,测得电子自旋极化弛豫时间为80±10ps.说明了电子自旋-轨道耦合相互作用引起局域磁场的随机化,是导致电子的自旋极化弛豫的主要机理.
自旋电子学、半导体量子阱、飞秒激光光谱、自旋-轨道耦合
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O4(物理学)
国家自然科学基金10274107,60178020,60490295,60378006;广东省自然科学基金011204,2002B11601
2004-10-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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3196-3199