10.3321/j.issn:1000-3290.2004.09.056
浮栅ROM集成电路空间低剂量率辐射失效时间预估
利用60Coγ射线开展了浮栅ROM集成电路(AT29C256)总剂量辐照实验,研究了集成电路功耗电流和出错数在不同剂量率下的辐射响应;按照定义的失效标准和外推实验技术,探索了集成电路参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系;根据失效时间与辐射剂量率的函数关系,预估了浮栅ROM集成电路AT29C256(9911)和AT29C256(9939)空间低剂量率辐射失效时间.
低剂量率、辐射损伤、失效时间、总剂量
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O4(物理学)
2004-10-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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