金属-半导体超晶格中界面电荷的生成机理

摘要：

采用LMTO-ASA能带计算方法,研究(Si2)3(2Al)6(001),(Ge2)3(2Al)6(001),(Ge2)3(2Au)6(001)和(Ge2)3(2Ag)6(001)超晶格中半导体界面电荷Qss的生成机理,结果发现,金属-半导体相互接触时,接触界面处半导体原子与金属原子之间发生价电子重新分布和转移,导致半导体表面原子层偏离电中性而呈现出半导体界面净电荷Qss.该界面电荷Qss的生成与Tung新近提出的金属-半导体界面化学键的"化学键极化"模型物理实质大致相同,两者都能说明界面处金属原子和半导体原子整齐排列为单晶(不涉及半导体表面态)的Schottky势垒中仍然会生成界面电荷.

关键词：Schottky势垒、界面电荷

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划001CB610505;国家自然科学基金90206030,60376015,10134030;福建省自然科学基金

在线出版日期：2004-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2925-2930