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10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.067

CNx纳米管的制备、结构观察及低场致电子发射性能研究

引用
采用高温热解法,以乙二胺为前驱液,在沉积有铁催化剂的p型硅(111)基底上制备出了定向生长的CNx纳米管.利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜和拉曼光谱对CNx纳米管进行了形貌观察和表征.CNx纳米管的高度在20 μm左右,直径在50-100 nm之间,具有明显的"竹节状"结构,结晶有序度较差.对CNx纳米管薄膜进行低场致发射性能测试:外加电场为1.4V/μm,观察到20μA/cm2发射电流,外电场升至2.54V/μm时发射电流达到1.280mA/cm2,在较高外电场下,没有发现电流"饱和".这比相同实验条件下改变前驱液制备出的碳纳米管和硼碳氮纳米管的场发射性能优越.还在"竹节状"结构的基础上对CNx纳米管的场致电子发射机理进行了讨论.

CNx纳米管、高温热解、"竹节状"结构、场致发射

53

O4(物理学)

河南省高校创新人才培养项目1999-125;郑州航空工业管理学院校科研和教改项目

2004-09-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

2786-2791

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1000-3290

11-1958/O4

53

2004,53(8)

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