10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.066
射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜
利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiC薄膜,并利用x射线衍射(XRD)和红外(IR)吸收谱对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析.XRD结果表明,低温制备的SiC薄膜为非晶相,而在高温下(>800℃),薄膜呈现4HSiC和3C-SiC结晶相.IR谱显示,溅射制备薄膜的吸收特性主要为Si-C键的吸收.此外,还利用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了研究,并研究了样品的场发射特性.
射频溅射、SiC薄膜、结构、表面形貌、场发射
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O4(物理学)
国家自然科学基金60176002
2004-09-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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2780-2785