电子束蒸发制备HfO2高k薄膜的结构特性

摘要：

使用高真空电子束蒸发在p型Si(100)衬底上制备了高kHfO2薄膜.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比;x射线衍射测量表明刚沉积的薄膜是近非晶的,高温退火后发生部分晶化;原子力显微镜和扫描电子显微镜检测显示在高温退火前后薄膜均具有相当平整的表面,表明薄膜具有优良的热稳定性;椭偏测得在600 nm处薄膜折射率为2.09;电容-电压测试得到的薄膜介电常数为19.这些特性表明高真空电子束蒸发是一种很有希望的制备作为栅介质的HfO2薄膜的方法.

关键词：高k薄膜、HfO2、电子束蒸发

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2001CB3095

在线出版日期：2004-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2771-2774