原位等离子体逐层氧化a-Si:H/SiO2多层膜的光致发光研究

摘要：

采用在等离子体增强化学汽相沉积系统中沉积a-Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a-Si:H/SiO2多层膜.改变a-Si:H层的厚度,首次在室温下观察到来自a-Si:H/SiO2多层膜较强的蓝色光致发光和从465到435 nm的蓝移.x射线能谱证明,SiO2层是化学配比的SiO2;C-V特性表明,a-Si:H/SiO2界面得到了很好的钝化;透射电子显微镜表明,样品形成了界面陡峭的多层结构.结合光吸收谱和光致发光谱的研究,对其发光机理进行了讨论.用一维量子限制模型对光致发光峰随着a-Si:H层厚度的减小而蓝移作出了解释,认为蓝光发射可能来自a-Si:H层带尾态中的电子和空穴的复合.

关键词：a-Si:H/SiO2多层膜、光致发光

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10174035,90101020,10023001;江苏省自然科学基金BK2001028,BG2001002

在线出版日期：2004-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2746-2750