单电子三势垒隧穿结I-V特性研究

摘要：

在正统理论的基础上,提出了单电子三势垒隧穿结模型的主方程,并用线性方程组解法求出了其稳态解.通过数值模拟,得到了该系统的I-V特性曲线.发现其有别于双势垒隧穿结的情况,在传统库仑台阶的平台处曲线存在波纹状结构,分析得出这是由于第二个库仑岛上的电子数变化对I-V曲线的影响.此外,研究了各物理参数对I-V曲线的影响,发现三结系统可以降低对温度的要求,并应用Fermi能级处的能级间隔估算出出现库仑台阶现象的最高温度Tmax,为相关单电子器件的参数选择提供了理论依据.

关键词：正统理论、库仑台阶、主方程、隧穿概率

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2004-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：2734-2740