GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究

摘要：

尽管GaN基蓝绿光发光二极管(LED)已进入大规模商品化阶段,但其发光波长随注入电流的变化仍是一个尚未解决的关键技术难题.同时,蓝绿光LED电注入发光光谱的半高全宽多为25 nm以上.通过优化LED器件材料的生长条件和总应变量,获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱LED外延片.由此制作的LED器件在0-120 mA的注入电流下,发光波长变化小于1 nm.在20 mA的正向电流下,其光谱半高全宽只有18 nm,且随注入电流变化较小.

关键词：GaN、发光二极管、波长稳定性

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2001AA313130,2001AA312190;国家重点基础研究发展计划973计划TG2000036601;国家自然科学基金60244001,60290084

在线出版日期：2004-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2720-2723