多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为

摘要：

在多孔硅衬底上用射频溅射法沉积了非晶的SiC:Tb薄膜.对样品在N2中进行了不同温度的退火处理.用傅里叶红外变换谱分析了样品的结构.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在紫外、可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着衬底加热温度和样品退火温度的变化,发光峰有明显的强度变化和微弱的蓝移现象.分析了产生这种现象的机理,得出了紫外区域的发光峰是由于氧缺乏中心引起的,而可见区的发光是由于Tb离子产生的.

关键词：碳化硅、光致发光、氧缺乏中心、多孔硅

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金50272027

在线出版日期：2004-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2694-2698