In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响

摘要：

利用x射线三轴晶衍射和光致发光谱研究了生长参数In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱结构缺陷(如位错密度和界面粗糙度)和光致发光的影响.通过对(0002)对称和(1012)非对称联动扫描的每一个卫星峰的ω扫描,分别测量出了多量子阱的螺位错和刃位错平均密度,而界面粗糙度则由(0002)对称衍射的卫星峰半高全宽随级数的变化得出.试验发现多量子阱中的位错密度特别是刃位错密度和界面粗糙度随In源流量与Ⅲ族源流量比值的增加而增加,导致室温下光致发光性质的降低,从而也证明了刃位错在InGaN/GaN多量子阱中充当非辐射复合中心.试验同时发现此生长参数对刃位错的影响远大于对螺位错的影响.

关键词：x射线三轴晶衍射、界面粗糙度、位错、InGaN/GaN多量子阱

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金69825107;国家自然科学基金;香港研究资助局资助项目5001161953,N-HKU028/00

在线出版日期：2004-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2467-2471