大光腔小垂直发散角InGaAs/GaAs/AlGaAs 半导体激光器

摘要：

提出并实现了新型隧道再生耦合大光腔半导体激光器,近场光斑宽度达到1μm,较普通半导体激光器提高了一个数量级,有效地解决了普通半导体激光器由于发光面积狭窄而导致的端面灾变性毁坏和垂直发散角大的问题.采用低压金属有机物化学气相沉积方法生长了以C和Si分别作为掺杂剂的AlGaAs隧道结、GaAs/InGaAs应变量子阱有源区和新型半导体激光器外延结构,并制备出器件,其垂直发散角为20°,阈值电流密度为277A/cm2,斜率效率在未镀膜时达到O.80W/A.

关键词：半导体激光器、大光腔、隧道再生

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000068302;北京市自然科学基金4032007;国家高技术研究发展计划863计划2002AA312070

在线出版日期：2004-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2150-2153