ITO前驱物氢氧化铟In(OH)3理论研究

摘要：

分析了铟锡氧化物IT0(Indium Tin Oxide)前驱体氢氧化铟In(OH)3的结构,理论计算了其马德隆常数和晶格能,其值分别为2.9488和-5095.21kJ/mol,并给出了晶核表面自由能近似公式和晶核生长率的近似表达式,进而计算了采用化学沉淀法制备In(OH)3纳米粉末时的晶核形成参数,In(OH)3晶核生长初期的生长率约为0.012nm/s.

关键词：纳米粉末、In(OH)3、表面自由能、晶核生长

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：国防预研基金413100202

在线出版日期：2004-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1923-1929