锗/硅异质纳米结构中空穴存储特性研究

摘要：

对p沟道锗/硅异质纳米结构存储器空穴隧穿的物理过程作了详细的分析,并对器件的擦写和保留时间特性进行了数值模拟.研究结果表明:由于异质纳米结构的台阶状隧穿势垒和较高价带带边差的影响,与传统的硅纳米结构存储器和n沟道锗/硅异质纳米结构存储器相比,当前器件的保留时间分别提高到108和105s以上,同时器件的擦写时间特性基本保持不变.这种存储器结构单元有效地解决了快速擦写编程和长久存储之间的矛盾,极大地提高了器件的存储性能.

关键词：锗/硅、纳米结构、存储器、空穴存储、数值模拟

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G001CB309;国家自然科学基金90101021,60236010,60225014

在线出版日期：2004-06-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1211-1216