Ga6 N6团簇结构性质的理论计算研究

摘要：

在密度泛函理论的基础上,对Ga6N6团簇进行了第一性原理、全电子、从头计算,得到了10种可能的三维空间结构及其电子结构.其中最稳定结构的一对GaN原子的平均结合能为9.748 eV,因此是可能存在的.但与他人计算的Ga3N3和Ga5N5相比,Ga6N6团簇可能不属于"幻数"团簇.最稳定结构的Ga6N6团簇的费米面是部分占有的,能量为EF=-5.2972 eV,因此具有"金属性",但没有自旋磁矩.我们还计算了该结构的Ga6N6团簇的亲和势、电离能和电子跃迁能.这将有助于对GanNn团簇系列的结构和性质随n变化的研究.

关键词：GaN、团簇、电子结构

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：上海市科技发展基金00JC14051

在线出版日期：2004-06-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1044-1049