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10.3321/j.issn:1000-3290.2004.03.051

新型超导材料MgCNi3的电子结构与超导电性研究

引用
用MS-Xα方法研究了非氧化物超导材料MgCNi3的电子结构.研究结果显示,态密度分布曲线的主峰靠近Fermi面,主要来自于Ni的d电子的贡献.用T(T=Co,Mn,Cu)替代MgCNi3中的部分Ni形成化合物MgCNi2T,替代使Ni的价电子数减小,价态发生变化,Fermi面处态密度N(EF)减小.计算结果表明:无论是电子掺杂(Cu)还是空穴掺杂(Co,Mn),MgCNi3的超导电性都被抑制;Mn掺杂比Co掺杂更快地抑制超导电性,Co是作为空穴掺杂而不是作为磁性杂质掺杂去抑制超导.

电子结构、态密度、超导电性

53

TM26(电工材料)

国家高技术研究发展计划863计划2002AA324050;国家自然科学基金59971026

2004-04-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

922-926

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1000-3290

11-1958/O4

53

2004,53(3)

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