Yb掺杂C60薄膜的x射线光电子能谱研究

摘要：

在超高真空系统中制备了C60的Yb填隙化合物薄膜.用x射线光电子能谱研究了Yb和C60结合过程中C1s,Yb4f和Yb4d的变化.利用Yb4f和C1s的谱峰强度确定出相纯样品的化学组分接近Yb2.75C60,这一结果与晶体x射线衍射结果一致.Yb4f和Yb4d的峰形与峰位表明化合物中Yb的价态为Yb2+.相纯样品(Yb2.75C60)的C1s峰位相对于纯C60向低结合能方向移动约0.5eV.C1s结合能减小说明有Yb6s电子转移到C60的最低未充填分子轨道能带上.结合能变化大小及峰宽的具体数值为进一步在薄膜样品上研究Yb2.75C60提供了表征样品的手段.

关键词：C60的Yb填隙化合物薄膜、x射线光电子能谱、Yb价态

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10074053;浙江省自然科学基金100019;国家重点实验室基金

在线出版日期：2004-04-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：915-921