HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究

摘要：

在中波响应波段的p型Hg0.709Cd0.291Te(MCT)分子束外延生长薄膜上,利用材料芯片技术获得叠加注入不同硼离子剂量的系列大光敏元面积(500μm×500μm)的n-op-p结.通过测量液氮温度下不同离子注入剂量单元的电流-电压特性和对零偏微分电阻R0分析,观测到p_n结的性能与硼离子注入剂量明显的依赖关系.在另一片薄膜材料(镉组分值为0.2743)上通过该方法获得R0A优于现有常规数值的探测器单元.

关键词：p-n结、离子注入、碲镉汞薄膜

所属期刊栏目：53

分类号：TN21(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金10074068,60244002;国家重点基础研究发展计划973计划G1998061404

在线出版日期：2004-04-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：911-914