单畴的单原子In纳米线阵列的制备与研究

摘要：

利用Si(001)向[110]方向偏4°角的斜切表面作为衬底,成功地制备了分布均匀的单畴的单原子In链阵列.扫描隧道显微镜分析表明,沉积的In原子优先吸附在台面上沿着台阶内边缘的位置,并在两个Si的二聚体链之间形成稳定的In二聚体.In二聚体组成直的单原子链,其生长机理与Car提出的"表面聚合反应"相一致.另外,衬底具有非常窄的台面和双原子层台阶边的特殊结构是形成单畴的单原子链的关键.

关键词：铟单原子链、硅邻近面、扫描隧道显微镜

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60021403;科技部资助项目10134030

在线出版日期：2004-04-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：871-876