10.3321/j.issn:1000-3290.2004.03.040
射频磁控溅射沉积的ZnO薄膜的光致发光中心与漂移
利用射频磁控溅射法在n型单晶硅衬底上制备了ZnO薄膜.通过改变源气体中氩气和氧气的流量比制备了具有不同化学计量比的ZnO薄膜,并且将它们在真空中作了加热后处理来研究ZnO薄膜的光致发光特性.这些在常温衬底上沉积的薄膜可发出强的蓝光,其峰位会随氧流量的减少而发生红移.从导带底到锌缺陷形成的受主能级之间的跃迁可能是产生蓝光发射的原因.
ZnO薄膜、光致发光、退火、蓝光发射
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O4(物理学)
2004-04-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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