SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究

摘要：

利用扫描电子显微镜、拉曼散射光谱和光致发光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的GaN:Mg薄膜特性进行研究发现:除了一部分Mg原子替代Ga原子呈现受主性外,大部分Mg原子以间隙原子状态(Mgi)存在,并且在缺陷或者位错处大量聚集引起薄膜张力应力减小,薄膜在降温过程中由于应力不均匀会在部分区域内出现大量的裂纹;Mg的掺杂会加剧GaN无序化程度,致使薄膜质量变差;而室温下的PL谱测量表明蓝带发光由DAP(深施主-浅受主)复合引起,其中D为MgGaVN,A为MgGa.

关键词：GaN:Mg、异质外延、扫描电子显微镜、拉曼散射、光致发光谱

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划;国防预研基金41308060106

在线出版日期：2004-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：626-630