铝诱导非晶硅薄膜的场致低温快速晶化及其结构表征

摘要：

铝诱导非晶硅薄膜晶化可以降低退火温度、缩短退火时间,是制备多晶硅薄膜的一种重要方法.在此基础上,通过在退火过程中加入电场加速了界面处硅、铝原子间的互扩散,实现了非晶硅薄膜的快速低温晶化.实验结果表明,外加电场,退火温度为400℃,退火时间为60min时,薄膜的晶化率大于60%;退火温度为450℃退火时间为30min时,薄膜已经呈现明显的晶化现象;退火温度为500℃退火时间为15min时,薄膜的x射线多晶峰强度与非晶峰强度之比为未加电场的3-4倍.

关键词：非晶硅薄膜、多晶硅薄膜、外加电场

所属期刊栏目：53

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000028208

在线出版日期：2004-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：582-586