稳定In/Si表面的LEED研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.036

稳定In/Si表面的LEED研究

引用
利用LEED图形拟合的方法对大量不同取向In/Si表面的稳定性和小面化进行了研究,新发现了In覆盖度在1/2单层原子以下的三个稳定表面:Si(214)-In,Si(317)-In和Si(436)-In,以及In覆盖度在1单层原子左右的两个稳定表面Si(101)-In和Si(313)-In.此外还确定了In覆盖度在1单层原子左右的6个稳定In/Si表面的家族领地以及In覆盖度在1/2单层原子以下的4个稳定In/Si表面的家族领地.特别值得注意的是 Si(103)-In的家族领地相当大,甚至比最稳定的Si(111)7×7表面的还大些.

硅表面、铟、稳定表面、家族领地

53

O4(物理学)

国家自然科学基金19634010

2004-03-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

521-526

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

物理学报

1000-3290

11-1958/O4

53

2004,53(2)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn