GaN的宽带黄光发射研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3321/j.issn:1000-3290.2003.10.052

GaN的宽带黄光发射研究

引用
使用非线性最优化技术,用多个高斯函数叠加最优化拟合非掺杂GaN薄膜的宽的黄色发光带. 发现宽带黄色发光带可分解为三个高斯型谱的叠加. 表明宽的黄色发光带是由三个独立辐射跃迁发射叠加而成. 使用一种新的吸收归一化光致发光激发谱直接测量出此三个独立发射的初始态能级,发现三个独立发射具有相同的初始态和不同的末态,并对初、末态能级的起源作出了合理的指派.

GaN薄膜、吸收归一化光致发光激发谱、宽带黄光发射

52

TN3(半导体技术)

国家自然科学基金69888005,60178020;广东省自然科学基金970148,011204

2003-12-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

2638-2641

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

物理学报

1000-3290

11-1958/O4

52

2003,52(10)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn