10.3321/j.issn:1000-3290.2003.07.044
稀土(Tb,Gd)掺杂多孔硅的光致发光性能研究
用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土(Tb,Gd)离子的化学掺杂.利用荧光分光光度计测试了样品的光致发光特性.用扫描电子显微镜研究了薄膜的表面形貌.用卢瑟福背散射谱分析了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况.结果表明,Tb的掺入显著增强了多孔硅的发光强度,并且发光峰位出现蓝移.这是由于Tb3+的4f能级5D4-7F3,5D4-7F2和5D4-7F0的跃迁发光引起的.而在掺入Gd情况下,则观察到蓝光发射.初步分析了稀土掺杂多孔硅的发光机理.
多孔硅、稀土掺杂、光致发光
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O4(物理学)
国家自然科学基金60176002
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
1792-1796