GaN1-xPx薄膜的结构特性研究

摘要：

用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上外延了高P组分的GaN1-xPx 薄膜.利用x射线衍射仪和拉曼光谱仪研究了P对GaN1-xPx晶体结构的影响.研究结果表明:随着P组分比的增加,GaN1-xPx(0002)衍射峰逐渐向小角度移动,即晶格常数变大;与非掺杂GaN相比,GaN1-xPx薄膜的拉曼光谱中出现了4个新的振动模式,将它们分别归因于P族团引起的准局部振动模式、Ga-P键振动引起的间隙模,以及来自缺陷引起的无序激活散射.同时,随着P组分比的增加,A1(LO)模式的频率向低频方向移动,这种红移现象起因于合金化和应变的影响.

关键词：GaN1-xPx、金属有机物化学气相沉积、x射线衍射、拉曼光谱

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G20000683;国家自然科学基金60136020;国家高技术研究发展计划863计划2002AA305304

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1788-1791