单电子晶体管-金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件

摘要：

传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制,由单电子器件和传统的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件组成的多峰值负微分电阻器件在原理上具有无穷多个峰值,并且MOSFET使单电子晶体管(SET)的峰值和谷值电流大小受其源漏电压的影响减小.利用这种多峰值负微分电阻器件实现了多值存储器,该存储器原理上是无穷多值的.并且利用它的折叠的I-V特性,实现了一个4位的Flash A/D转换器,与传统的Flash A/D转换器相比,SET-MOSFET的A/D转换器大大地简化了电路.

关键词：库仑阻塞、库仑振荡、负微分电阻、多值存储器

所属期刊栏目：52

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2001C B3095;国家自然科学基金69925410

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1766-1770