AlxGa1-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响

摘要：

通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,研究了Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气性质的影响,给出了AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气分布和面密度,导带能带偏移以及子带中电子分布随AlxGa1-xN势垒层中Al组分的变化关系,并用AlxGa1-xN/GaN异质结构自发极化与压电极化机理和能带偏移对结果进行讨论分析.

关键词：AlxGa1-xN/GaN异质结构、二维电子气、自发极化、压电极化

所属期刊栏目：52

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60136020;国家重点基础研究发展计划973计划G20000683

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1756-1760