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10.3321/j.issn:1000-3290.2003.07.036

(Sr,Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的电学非线性

引用
研究了Sr对新型(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.当SrCO3的含量从零增加到1.50mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从240V/mm猛增到1482V/mm.样品的微观结构分析发现, 当SrCO3的含量从零增加到1.50 mol%时, SnO2的晶粒尺寸迅速减小.晶界势垒高度测量揭示,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高的主要原因.对Sr含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.掺杂1.50 mol% SrCO3的SnO2压敏电阻非线性系数为21.4,击穿电压高达1482V/mm.

碳酸锶、二氧化锡、势垒、电学非线性

52

O4(物理学)

国家自然科学基金50072013

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

1752-1755

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物理学报

1000-3290

11-1958/O4

52

2003,52(7)

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