质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究

摘要：

基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元(500μm×500μm)的n-on-p结构的p-n结,并对相应的p-n结的电流-电压(I-V)特性进行了研究.质子注入剂量为2×1015cm-2时R0A达312.5Ω*cm2,低温热处理后达490Ω*cm2.

关键词：I-V特性、碲镉汞薄膜、质子注入、p-n结

所属期刊栏目：52

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10074068,60244002;国家重点基础研究发展计划973计划G1998061404

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1496-1499